3-1-3.熱酸化法

熱酸化

熱酸化

熱酸化法

半導体の表面から内部にかけて酸化を行っていく方法。シリコンウエーハを高温の雰囲気中で酸素(O2)や水蒸気(H2O)にさらすことにより、SiとO2を科学的に反応させて、二酸化シリコン(SiO2)の薄膜を作る。この酸化膜は、シリコン基板の表面から内部に向かって成長していき、非常に絶縁性の高い高品質な膜ができる。

主な酸化法

ドライO2酸化 窒素(N2)をキャリアガスとして酸素ガスを流す
ウエットO2酸化 加熱水を通して酸素ガスを供給する
スチーム酸化 スチームと一緒に窒素ガスを流す
スチーム酸化(100%) スチームのみ
パイロジェニック酸化 水素ガスと酸素ガスを外部で燃焼し、水蒸気にして供給する
酸素分圧酸化 酸素ガスを液体酸素を通し窒素ガスをキャリアとして流す
塩酸酸化 窒素ガスと酸素ガスと一緒に塩酸ガスを添加する