熱酸化
熱酸化法
半導体の表面から内部にかけて酸化を行っていく方法。シリコンウエーハを高温の雰囲気中で酸素（O2）や水蒸気（H2O）にさらすことにより、SiとO２を科学的に反応させて、二酸化シリコン（SiO２）の薄膜を作る。この酸化膜は、シリコン基板の表面から内部に向かって成長していき、非常に絶縁性の高い高品質な膜ができる。
主な酸化法
| ドライO2酸化 | 窒素（N2)をキャリアガスとして酸素ガスを流す |
| ウエットO2酸化 | 加熱水を通して酸素ガスを供給する |
| スチーム酸化 | スチームと一緒に窒素ガスを流す |
| スチーム酸化（100%） | スチームのみ |
| パイロジェニック酸化 | 水素ガスと酸素ガスを外部で燃焼し、水蒸気にして供給する |
| 酸素分圧酸化 | 酸素ガスを液体酸素を通し窒素ガスをキャリアとして流す |
| 塩酸酸化 | 窒素ガスと酸素ガスと一緒に塩酸ガスを添加する |