チョクラルスキ―法（引き上げ法）

現在、LSIに使用されるウェーハは、チョクラルスキ―法で作られる。石英ルツボの中で多結晶シリコンを溶融し、結晶方位がそろった種結晶にシリコン結晶を成長される形でゆっくりと引き上げる。

チョクラルスキ―とはもともと人名前（Czochralski）で、ポーランドで1971年にこの夫雄法を開発した。もともとはシリコンウェーハように考えたわけではなく、合金結晶の成長メカニズムを考案する際に思いついたといわれている。