フロントエンドとバックエンド

特に先端CMOSロジックLSIに対して、この分け方が一般的です。

もちろん、めもりなどでもいう場合があります。

フロントエンドは主としてトランジスタ形成まで、バックエンドはそれ以降の配線工程をいいます。特に先端CMOSロジックLSIの配線工程は同じプロセスの繰り返しといってもかごんではありません。

先端ロジックの場合は工程の7割ほどがバックエンド言われています。

前工程の前半がフロントエンド、後半がバックエンドとなっているわけですが、これは先端ロジックを中心に配線そうの数が増え、多層配線プロセスの比重が多くなったこと、ASICを中心にカスタマーの仕様に合わせて、最後に配線そうを形成して、カスタムLSIを出荷するという手法がよういられるようになったからだと考えられます。フロントエンドであるトランジスタ周りのプロセスはシリコンウエーハの中にプロセスを施し、バックエンドである多層配線プロセスはシリコンウエーハの上に配線構造を作ってゆくというプロセスになります。建物にたとえれば、フロントエンドは基礎工事、ンバックエンドは家屋をかさねてゆくこととえいえます。ある意味、全社はいろいろなプロセスが出てきて複雑であり、校舎は見た目は複雑ではあっても、おなじような繰り返しが続くプロセスといえます。先端ロジックLSIを例にしてフロントエンドとバックエンドの区別を示しました。

フロントエンドとバックエンドでは、プロセスの温度が異なってきます。フロントエンドではトランジスタを作る際にn型やp型の各山荘を形成する必要があり、その熱処理で1000度近い温ンドに上げるため、それなりの高温にい耐えられる材料が用意られます。

しかしバックエンドでは配線に用意いられる材料、例えば、AIなどは500度くらいまでの耐熱性しかありません。したがってバックエンドの場合はせいぜい400度~450度までのプロセス温度に制限されます。したがって高温ンオ熱処理を行うイオン注入・熱処理を行うイオン注入・熱処理プロセスはフロントエンドでしか用いられません。