ボンディング（ワイヤーボンディング）
LSI（チップ）内部の信号を入力出力するためや、LSIに電源を供給するために、チップの表面外周部に設置されたボンディングパッド（チップ上の端子）とリードフレーム側のリードをボンディングワイヤー（金線）などで１つずつ接続し、外部と電気信号のやり取りをできるようにする。この際、ワイヤーボンダーという装置を用いて1秒間に数本から10本以上のスピードでボンディングされる。
①キャピラリト呼ばれる部分の先端に金（Au）ワイヤを引き出す。
②そこに電気トーチを近づけてスパークを発生させることで先端の金を球状にする、
③ボンディングバッド（Al）に押しつけて熱圧着する。
④①～③を超音波のエネルギーを併用して200～250℃の温度で行う。（UNTC方式）
⑤キャピラリが所定の軌道で移動し、金ワイヤを伸ばす。
⑥Agなどがメッキされているリード部にキャピラリを移動させ、ボンディングを行う。
⑦また別のボンディングパッドに移動し、①～⑥を繰り返す。
ワイヤレスボンディング
金（Au）を使わずに直接リードとパッドを接着接続する。なお、ワイヤレスボンディングはチップを裏返して張り付けるフリップチップ方式とテープフィルム上にICチップを貼り付けるTAB方式に分かれる。
フリップチップ方式
①ICチップのボンディングパッド上にハンダバンプ（こぶ）や金バンプを形成する。
②このバンプとリードとのはいちの位置合わせをする
③熱によるハンダリフローや加圧した状態で超音波振動を用いて接続する。
TAB方式
ICチップ状またはタープ上にバンプを形成し、お互いをインナーリード・ボンディングによって接着接続する。具体的にはフリップチップ方式と同じようなやり方だが、一部では、テープ上のリードとボンディングパッドを加圧・超超音波接着するバンプレスTAB方式も採用されている。