空欠層

P型半導体とN型半導体を接触させるとP-N接合となるが、接合に際して界面付近の電子と正孔は再結合により失われ、そのあとにイオン化したドナーとアクセプタが残る。この領域には、電子とホールがほとんど存在しないので空欠層とよばれる。

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